如何在BIOS内存条序列中设置BIOS故障
2022-12-07 08:35 投稿人：网络编辑
下面是如何在BIOS中设置内存序列的方法，供大家参考和研究。
FSB与记忆频率的关系
首先，看看之间的关系（FSB前端总线：前端总线）和记忆率和内存的实际运行频率，FSB / MEM比1 / 1 200MHz 1 / 2 100MHz的2 / 3 / 4 150mhz 133MHz这3 3 5 / / 05 120mhz 6实际运行频率
对于大多数球员来说，外频和内存同步，即1:1是性能最好的选择。和其他设置异步，同步后，内存的实际运行频率是fsbx2，所以对DDR400内存只是在200MHz FSB同步。如果你的外频240MHz，然后内存的实际运行频率是240MHz×2 = 480MHz。FSB和DDR内存中以不同的速度之间的关系，正确设置
强烈建议使用1:1的FSB和内存同步设置，以便充分发挥内存带宽的优势。
内存参数是否正确设置将极大地影响系统的整体性能。接下来，我们将逐一讲解内存定时设置，以便您在内存参数设置方面有清晰的思路，提高计算机系统的性能。
涉及的参数有：中共：每时钟延迟控制通过TCL命令：中科院：RAS到CAS延迟时间：分钟TRAS RAS活性之行预充电时间和周期时间解析：行：行刷新周期时间tRRD排：Delay（RAS RAS延迟TWR写入恢复时间）：和其他参数党：命令每个时钟
可选设置：自动，使（1T），禁用（2T）。
命令每个时钟（CPC：指令比，又译为第一命令延迟），一般称为DRAM命令，命令率等。由于目前的DDR内存寻址，你需要选择p-bank（通过CS片选信号DIMM），然后L-BANK /活化和列地址的选择。这个参数的含义是指特定的L-BANK /行激活命令可以发送出p-bank选择后，单位是时钟周期。
显然，越短越好党。但在主板上增加了内存模块的控制芯片组的负载增加，和短间隔可能会影响稳定性。所以当你的内存插到很多不稳定的时候，你需要把这个参数长。大部分的主板目前将自动设置这个参数。
此参数的默认值为禁用（2T），如果玩家有一个良好的记忆品质，它可以被设置为启用（1T）。TCL：CAS延迟控制（TCL）
可选设置：自动，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般来说，当我们看内存的时序参数，如3-4-4-8，这种数字序列，这些数字对应的数字是CL tRCD TRP tras，分别。这3是第一个参数，CL参数。
CAS延迟控制也被称为TCL、CL、CAS延迟时间、CAS Timing Delay和CAS延迟时间是CAS，CAS控制时间从接受一个指令执行指令。由于CAS主要控制十六二进制地址，或列地址存储矩阵中，它是最重要的参数，它应该被设置为尽可能低的稳定的前提下。
内存可以通过行和列寻址。当请求被触发，它最初是TRAS（Activeto Precharge Delay）。在预充电，内存将真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活RAS（行地址选通）开始解决所需要的数据。第一行的地址，然后通过初始化，周期结束，和精确的十六进制地址所需的数据是通过CAS访问。从CAS CAS结束期CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一步，也是最重要的内存参数。
此参数控制多少个时钟周期需要等待内存接收数据之前执行的指令实际上是阅读教学。同时，参数也决定要求完成记忆中的突发传输第一部分的时钟周期数。较小的参数，更快的记忆是的。需要注意的是，一些内存不能运行在一个较低的延迟，可能会丢失数据的重要。因此，当我们提醒你设置CAS 2或2.5，同时，如果它是不稳定的，我们必须进一步改进，增加延迟可以在更高的频率，使内存运行，所以当内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
这个参数对内存性能的影响最大。在保证系统稳定性的前提下，降低CAS值，这将导致更快的内存读写操作，CL值为2的最佳性能，和3的CL值可以提高系统的稳定性。注意winbondbh-5 / 6芯片不可能设置3.trcd：RAS CAS Delay
可选设置：自动，0, 1, 2，3, 4, 5，6, 7。
价值是3-4-4-8记忆中的时间参数，这是第二个参数，也是第一4.ras CAS Delay描述为tRCD、RAS CAS Delay，积极主动，这意味着行寻址列寻址延迟时间，该值越小，性能越好。当阅读，写作，或清新记忆，有必要插入一个脉冲间延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是第二个参数，从而减少这种延迟，提高了系统的性能。建议值设置为3或2，但如果该值设置太低，它也会造成系统不稳定。当该值为4时，系统会在最稳定的状态，和值为5，而且太保守了。
如果你的内存的超频性能差，你可以将此值设置为内存的默认值或尽量提高tRCD值。
FSB与记忆频率的关系
首先，看看之间的关系（FSB前端总线：前端总线）和记忆率和内存的实际运行频率，FSB / MEM比1 / 1 200MHz 1 / 2 100MHz的2 / 3 / 4 150mhz 133MHz这3 3 5 / / 05 120mhz 6实际运行频率
对于大多数球员来说，外频和内存同步，即1:1是性能最好的选择。和其他设置异步，同步后，内存的实际运行频率是fsbx2，所以对DDR400内存只是在200MHz FSB同步。如果你的外频240MHz，然后内存的实际运行频率是240MHz×2 = 480MHz。FSB和DDR内存中以不同的速度之间的关系，正确设置
强烈建议使用1:1的FSB和内存同步设置，以便充分发挥内存带宽的优势。
内存参数是否正确设置将极大地影响系统的整体性能。接下来，我们将逐一讲解内存定时设置，以便您在内存参数设置方面有清晰的思路，提高计算机系统的性能。
涉及的参数有：中共：每时钟延迟控制通过TCL命令：中科院：RAS到CAS延迟时间：分钟TRAS RAS活性之行预充电时间和周期时间解析：行：行刷新周期时间tRRD排：Delay（RAS RAS延迟TWR写入恢复时间）：和其他参数党：命令每个时钟
可选设置：自动，使（1T），禁用（2T）。
命令每个时钟（CPC：指令比，又译为第一命令延迟），一般称为DRAM命令，命令率等。由于目前的DDR内存寻址，你需要选择p-bank（通过CS片选信号DIMM），然后L-BANK /活化和列地址的选择。这个参数的含义是指特定的L-BANK /行激活命令可以发送出p-bank选择后，单位是时钟周期。
显然，越短越好党。但在主板上增加了内存模块的控制芯片组的负载增加，和短间隔可能会影响稳定性。所以当你的内存插到很多不稳定的时候，你需要把这个参数长。大部分的主板目前将自动设置这个参数。
此参数的默认值为禁用（2T），如果玩家有一个良好的记忆品质，它可以被设置为启用（1T）。TCL：CAS延迟控制（TCL）
可选设置：自动，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般来说，当我们看内存的时序参数，如3-4-4-8，这种数字序列，这些数字对应的数字是CL tRCD TRP tras，分别。这3是第一个参数，CL参数。
CAS延迟控制也被称为TCL、CL、CAS延迟时间、CAS Timing Delay和CAS延迟时间是CAS，CAS控制时间从接受一个指令执行指令。由于CAS主要控制十六二进制地址，或列地址存储矩阵中，它是最重要的参数，它应该被设置为尽可能低的稳定的前提下。
内存可以通过行和列寻址。当请求被触发，它最初是TRAS（Activeto Precharge Delay）。在预充电，内存将真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活RAS（行地址选通）开始解决所需要的数据。第一行的地址，然后通过初始化，周期结束，和精确的十六进制地址所需的数据是通过CAS访问。从CAS CAS结束期CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一步，也是最重要的内存参数。
此参数控制多少个时钟周期需要等待内存接收数据之前执行的指令实际上是阅读教学。同时，参数也决定要求完成记忆中的突发传输第一部分的时钟周期数。较小的参数，更快的记忆是的。需要注意的是，一些内存不能运行在一个较低的延迟，可能会丢失数据的重要。因此，当我们提醒你设置CAS 2或2.5，同时，如果它是不稳定的，我们必须进一步改进，增加延迟可以在更高的频率，使内存运行，所以当内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
这个参数对内存性能的影响最大。在保证系统稳定性的前提下，降低CAS值，这将导致更快的内存读写操作，CL值为2的最佳性能，和3的CL值可以提高系统的稳定性。注意winbondbh-5 / 6芯片不可能设置3.trcd：RAS CAS Delay
可选设置：自动，0, 1, 2，3, 4, 5，6, 7。
价值是3-4-4-8记忆中的时间参数，这是第二个参数，也是第一4.ras CAS Delay描述为tRCD、RAS CAS Delay，积极主动，这意味着行寻址列寻址延迟时间，该值越小，性能越好。当阅读，写作，或清新记忆，有必要插入一个脉冲间延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是第二个参数，从而减少这种延迟，提高了系统的性能。建议值设置为3或2，但如果该值设置太低，它也会造成系统不稳定。当该值为4时，系统会在最稳定的状态，和值为5，而且太保守了。
如果你的内存的超频性能差，你可以将此值设置为内存的默认值或尽量提高tRCD值。